journal article·1997-06

Interfacial reactions in the formation of ohmic contacts to wide bandgap semiconductors

P.H. Holloway, T.-J. Kim, J.T. Trexler, S. Miller, J.J. Fijol, W.V. Lampert, T.W. Haas

Applied Surface Science· Volume 117-118
Publisher page

Abstract

No abstract is available for this record. The assistant can identify its topic from the title, but cannot infer the study’s results.

Source: Not provided · Quality: missing

Research context

OpenAlex topics: Semiconductor Quantum Structures and Devices · GaN-based semiconductor devices and materials · Semiconductor materials and interfaces

SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.

References (60)

Show source-provided references
1. Park · Appl. Phys. Lett. · 1992 · 61 · 316010.1063/1.107945 ↗
2. Qui · J. Cryst. Growth · 1993 · 127 · 27910.1016/0022-0248(93)90622-4 ↗
3. Fan · Appl. Phys. Lett. · 1992 · 61 · 316010.1063/1.107945 ↗
4. Hasse · Appl. Phys. Lett. · 1991 · 59 · 127210.1063/1.105472 ↗
5. Nakamura · Jpn. J. Appl. Phys. Lett. · 1995 · 34 · L133210.1143/JJAP.34.L1332 ↗
6. Nakamura · Jpn. J. Appl. Phys. · 1996 · 35 · L17410.1143/JJAP.35.L174 ↗
7. Nakamura · Jpn. J. Appl. Phys. · 1996 · 35 · 21710.1143/JJAP.35.L217 ↗
8. Nakamura · Appl. Phys. Lett. · 1996 · 68 · 210510.1063/1.115599 ↗
9. Nakamura · Appl. Phys. Lett. · 1996 · 68 · 326910.1063/1.116570 ↗
10. Makamura · Appl. Phys. Lett. · 1996 · 69 · 26
11. Howes · 1985
12. Morkoc · J. Appl. Phys. · 1994 · 76 · 136310.1063/1.358463 ↗
13. Schottky · Naturwissenchaften · 1938 · 26 · 84310.1007/BF01774216 ↗
14. Sharma · 1984 · 35
15. Wagner · Physica A · 1931 · 32 · 641
16. Schottky · Wiss. Veroff. Siemens-Werken · 1939 · 18 · 22510.1007/978-3-642-99673-3_17 ↗
17. Sze · 1985 · 169
18. Sharma · 1984 · 8
19. Hall · Phys. Rev. · 1950 · 80 · 46710.1103/PhysRev.80.467.2 ↗
20. Sze · 1981 · 65
21. Wilmsen · 1985 · 129
22. Gallium Arsenide: Materials, Devices and Circuits
23. Contacts to Semiconductors: Fundamentals and Technology
24. Sands · J. Mater. Res. · 1988 · 3 · 91410.1557/JMR.1988.0914 ↗
25. Offsey · Appl. Phys. Lett. · 1986 · 48 · 47510.1063/1.96535 ↗
26. Woodall · J. Vac. Sci. Technol. · 1981 · 19 · 79410.1116/1.571150 ↗
27. Sandroff · Appl. Phys. Lett. · 1987 · 51 · 3310.1063/1.98877 ↗
28. Wang · J. Appl. Phys. · 1992 · 71 · 274610.1063/1.351048 ↗
29. Fischer · J. Vac. Sci. Technol. B · 1994 · 12 · 141910.1116/1.587311 ↗
30. Advanced Metallization of Devices and Circuits-Science
31. Lu-Min Yeh · MRS Symp. Proc. · 1989 · 144 · 607
32. Holloway · Appl. Phys. Lett. · 1991 · 59 · 94710.1063/1.106310 ↗
33. Li · J. Vac. Sci. Technol. A · 1991 · 9 · 94410.1116/1.577553 ↗
34. Li · J. Appl. Phys. · 1992 · 71 · 438510.1063/1.350776 ↗
35. Freeouf · J. Vac. Sci. Technol. B · 1991 · 9 · 235510.1116/1.585703 ↗
36. Metallurgy of Elemental and Compound Semiconductors
37. Marshal · Appl. Phys. Lett. · 1989 · 54 · 72110.1063/1.100872 ↗
38. T.-J. Kim, Paul H. Holloway, to be published.
39. Advanced Metallization and Processing for Semiconductor Devices and Circuits-II
40. Lampert · MRS Symp. Proc. · 1993 · 281 · 69510.1557/PROC-281-695 ↗
41. Lin · Thin Solid Films · 1994 · 253 · 49010.1016/0040-6090(94)90372-7 ↗
42. Marshal · J. Appl. Phys. · 1987 · 62 · 94210.1063/1.339705 ↗
43. Fijol · Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. · 1996 · 21 · 7710.1080/10408439608241254 ↗
44. Holloway · 1995 · Vol. 94-34 · 2
45. Lu-Min · J. Vac. Sci. Technol. B · 1995 · 13 · 223810.1116/1.588056 ↗
46. Wang · Vacuum · 1992 · 43 · 114910.1016/0042-207X(92)90355-Z ↗
47. Trexler · J. Cryst. Growth · 1996 · 159 · 72310.1016/0022-0248(95)00878-0 ↗
48. Trexler · J. Electron. Mater. · 1996 · 25 · 147410.1007/BF02655386 ↗
49. Lansari · Appl. Phys. Lett. · 1992 · 61 · 255410.1063/1.108124 ↗
50. Lansari · J. Electron. Mater. · 1993 · 22 · 80910.1007/BF02817490 ↗
51. Fijol · J. Vac. Sci. Technol. · 1996 · 14 · 15910.1116/1.589019 ↗
52. Kim · Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. · 1996 · 21 · 110.1080/10408439608241253 ↗
53. Miller · J. Electron. Mater. · 1996 · 25 · 170910.1007/s11664-996-0026-z ↗
54. Durbha · J. Vac. Sci. Technol. B · 1996 · 14 · 258210.1116/1.588771 ↗
55. Lin · Appl. Phys. Lett. · 1994 · 64 · 100310.1063/1.111961 ↗
56. Zolper · Appl. Phys. Lett. · 1996 · 69 · 53810.1063/1.117779 ↗
57. Trexler · 1996 · Vol. 395 · 819
58. Nakamura · Jpn. J. Appl. Phys. · 1991 · 30 · L199810.1143/JJAP.30.L1998 ↗
59. Nakamura · Appl. Phys. Lett. · 1996 · 62 · 1786
60. Abernathy · Appl. Phys. Lett. · 1995 · 66 · 196910.1063/1.113293 ↗