Medidas ópticas bajo altas presiones en celda de diamantes : frente de absorción del Telururo de Galio

Se han realizado medidas del frente fundamental de absorcion del telururo de galio monocristalino bajo presion entre O y 30 kbar en una celda de yunques de diamante, en condiciones de temperatura ambiente y con luz no polarizada. El analisis del espectro de absorcion mediante el modelo de Elliott-Toyozawa nos ha permitido obtener la variacion de la energia del gap directo del semiconductor y de la energia de enlace del exciton directo con la presion. La aplicacion del modelo de capas al GaTe, al igual que se ha aplicado a otros laminares de la familia 111-VI, ha permitido obtener los potenciales de deformacion intercapa e intracapa, asi como la dependencia de la constante dielectrica con la presion.