Láminas delgadas aislantes derivadas del silicio depositadas mediante la técnica ECR-CVD

En este trabajo se presenta un estudio de las propiedades opticas, estructura de enlaces, estructura de defectos y composicion, de laminas delgadas de SiNx: H y SiOx depositadas mediante la tecnica de deposito quimico en fase vapor excitada por resonancia ciclotronica de electrones. Se realiza un estudio detallado de la influencia de las variables de deposito (potencia de microondas, relacion de flujos y temperatura de deposito) sobre las propiedades mencionadas, por el que se concluye que es posible obtener laminas de SINx: H con cocientes [N]/[Si] desde 0.25 a 1.49, con un contenido de hidrogeno inferior al 10 %at., a una temperatura de deposito nunca por encima de 200oC. Asimismo, se presenta un estudio sobre estructuras del tipo metal-aislante-semiconductor fabricadas sobre sustratos semiconductores de Si e InP. Para ambos tipos de estructura, se obtienen distribuciones de estados en la intercara aislante-semiconductor del orden de cm-2 eV-1 para el caso del Si y2x10^12 cm-2 eV-1 para el caso InP lo que permiten la utilizacion de estas estructuras en dispositivos de efecto campo.