Caracterización de estructuras semiconductoras por microscopía de fuerzas de fricción

Las fuerzas laterales existentes entre una punta de un microscopio de fuerzas y la superficie de una muestra contienen informacion sobre propiedades de la misma. Las imagenes obtenidas por microscopia de fuerzas de friccion de intercararas semiconductoras y multipozos cuanticos demuestran que estas pueden visualizarse con una resolucion espacial de 3 nm. Tambien se ha estimado la sensibilidad de esta tecnica para caracterizar variaciones en composicion al examinar una muestra de Inx Ga1-x As donde la proporcion relativa entre el indio y el galio se cambio de forma discreta. Las imagenes obtenidas muestran que las fuerzas de friccion pueden detectar variaciones menores del 10% en la composicion de indio. La resolucion espacial y la sensibilidad composicional obtenidas subrayan el potencial de la microscopia de fuerzas de friccion para efectuar caracterizaciones simultaneas de la topografia y la composicion relativa en muestras semiconductoras.