Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InAlAs/InGaAs crecidas sobre sustratos {111} de InP

Se ha analizado por microscopia electronica en transmision (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuantico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, asi como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuantico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleacion de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes.