journal article·1989-10

The nature of the dominant deep trap in amorphous silicon nitride films: Evidence for a negative correlation energy

P.M. Lenahan, D.T. Krick, J. Kanicki

Applied Surface Science· Volume 39· Issue 1-4
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Abstract

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Research context

OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · Thin-Film Transistor Technologies · Electronic and Structural Properties of Oxides

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References (35)

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1. Chu · Solid State Electron. · 1967 · 10 · 89710.1016/0038-1101(67)90003-2 ↗
2. Schorner · IEEE Trans. Electron Devices ED-28 · 1977 · 1466
3. LeComber · 1984 · Vol. II
4. Arnett · Appl. Phys. Letters · 1975 · 26 · 9410.1063/1.88093 ↗
5. Maes · Appl. Phys. Letters · 1975 · 27 · 28210.1063/1.88446 ↗
6. Lehovec · J. Appl. Phys. · 1976 · 47 · 276310.1063/1.322940 ↗
7. Kapoor · J. Appl. Phys. · 1981 · 52 · 31110.1063/1.328495 ↗
8. Ngai · Appl. Phys. Letters · 1982 · 41 · 15910.1063/1.93438 ↗
9. Fujita · J. Electrochem. Soc. · 1985 · 132 · 39310.1149/1.2113850 ↗
10. Hepburn · Phys. Rev. Letters · 1986 · 56 · 221510.1103/PhysRevLett.56.2215 ↗
11. Robertson · J. Appl. Phys. · 1984 · 44 · 415
12. Kirk · J. Appl. Phys. · 1979 · 50 · 419010.1063/1.326447 ↗
13. Kapoor · J. Vacuum Sci. Technol. A · 1983 · 1 · 60010.1116/1.571966 ↗
14. Yokoyama · Japan. J. Appl. Phys. · 1981 · 20 · L3510.1143/JJAP.20.L35 ↗
15. Makino · J. Electrochem. Soc. · 1983 · 130 · 45010.1149/1.2119729 ↗
16. Kumeda · Japan. J. Appl. Phys. · 1984 · 23 · L50210.1143/JJAP.23.L502 ↗
17. Morimoto · Japan. J. Appl. Phys. · 1985 · 24 · 139410.1143/JJAP.24.1394 ↗
18. Jousse · Appl. Phys. Letters · 1988 · 52 · 44510.1063/1.99438 ↗
19. Brodsky · Phys. Rev. Letters · 1969 · 23 · 58110.1103/PhysRevLett.23.581 ↗
20. Lenahan · IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-30 · 1983 · 460210.1109/TNS.1983.4333179 ↗
21. Lenahan · J. Appl. Phys. · 1984 · 55 · 349510.1063/1.332937 ↗
22. Yokoyama · Japan. J. Appl. Phys. · 1980 · 20 · L3510.1143/JJAP.20.L35 ↗
23. Ultee · Phys. Chem. · 1960 · 64 · 187310.1021/j100841a016 ↗
24. Makino · Japan. J. Appl. Phys. · 1986 · 25 · 130010.1143/JJAP.25.1300 ↗
25. Ishii · Phys. Status Solidi (b) · 1982 · 114 · K11110.1002/pssb.2221140260 ↗
26. Shimizu · Solar Energy Mater. · 1982 · 8 · 31110.1016/0165-1633(82)90074-0 ↗
27. Makino · J. Electrochem. Soc. · 1983 · 30 · 451
28. Kumeda · Japan. J. Appl. Phys. · 1984 · 23 · L50210.1143/JJAP.23.L502 ↗
29. Yokomichi · Japan. J. Appl. Phys. · 1985 · 24 · L56910.1143/JJAP.24.L569 ↗
30. Krick · Appl. Phys. Letters · 1987 · 51 · 60810.1063/1.98362 ↗
31. Krick · J. Appl. Phys. · 1988 · 64 · 355810.1063/1.341499 ↗
32. Anderson · Phys. Rev. Letters · 1975 · 34 · 95310.1103/PhysRevLett.34.953 ↗
33. Street · Phys. Rev. Letters · 1975 · 35 · 129310.1103/PhysRevLett.35.1293 ↗
34. Nicollian · 1982
35. Weinberg · J. Appl. Phys. · 1976 · 47 · 24810.1063/1.322307 ↗