journal article·2019-07Open access

A study on Ga Si interdiffusion during (Al)GaN/AlN growth on Si by plasma assisted molecular beam epitaxy

Y. Zheng, M. Agrawal, N. Dharmarasu, K. Radhakrishnan, S. Patwal

Abstract

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Research context

OpenAlex topics: GaN-based semiconductor devices and materials · Semiconductor materials and devices · Metal and Thin Film Mechanics

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