Analysis of nitrogen species in titanium oxynitride ALD films
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Abstract
Abstract Titanium oxynitride films are prepared by plasma enhanced atomic layer deposition method using two different precursors and nitrogen sources. Synchrotron radiation-based X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray absorption spectroscopy are used to characterize the nitrogen species incorporated within these films depending on the deposition parameters. It is found that nitrogen atoms in these films are differently bonded. In particular, it can be distinguished between Ti ON and Ti N bonding configurations and molecular nitrogen species caused by precursor fragments.
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Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · Metal and Thin Film Mechanics · Electronic and Structural Properties of Oxides
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