journal article·1993-09

Chemistry of silicon oxide annealed in ammonia

H. Wong, B.L. Yang, Y.C. Cheng

Applied Surface Science· Volume 72· Issue 1
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Abstract

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Research context

OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · Ga2O3 and related materials · Silicon Nanostructures and Photoluminescence

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References (36)

Show source-provided references
1. Ito · J. Electrochem. Soc. · 1980 · 127 · 205310.1149/1.2130065 ↗
2. Hayafuji · J. Electrochem. Soc. · 1982 · 129 · 210110.1149/1.2124388 ↗
3. Wong · IEEE Electron Device Lett. · 1984 · EDL-5 · 17510.1109/EDL.1984.25874 ↗
4. Denisse · J. Appl. Phys. · 1986 · 60 · 253610.1063/1.337117 ↗
5. Moslehi · Appl. Phys. Lett. · 1985 · 47 · 111310.1063/1.96347 ↗
6. Chang · IEEE Electron Device Lett. EDL-6 · 1985 · 47610.1109/EDL.1985.26198 ↗
7. Hori · IEEE Electron Device Lett. EDL-7 · 1986 · 66910.1109/EDL.1986.26514 ↗
8. Hori · IEEE Trans. Electron Devices ED-34 · 1987 · 223810.1109/T-ED.1987.23226 ↗
9. Pancholy · IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-30 · 1983 · 414110.1109/TNS.1983.4333097 ↗
10. Wong · J. Electrochem. Soc. · 1983 · 130 · 113910.1149/1.2119904 ↗
11. Yang · IEEE Trans. Electron Devices ED-35 · 1988 · 93510.1109/16.3348 ↗
12. Ito · IEEE Trans. Electron Devices ED-29 · 1982 · 49810.1109/T-ED.1982.20732 ↗
13. Terry · IEEE Electron Device Lett. EDL-4 · 1983 · 19
14. Tsai · IEEE Electron Device Lett. EDL-8 · 1987 · 14310.1109/EDL.1987.26581 ↗
15. Habraken · Appl. Phys. Lett. · 1984 · 44 · 6210.1063/1.94553 ↗
16. Kaga · IEEE Trans. Electron Devices ED-35 · 1988 · 92910.1109/16.3347 ↗
17. Liu · 1988 · 213
18. Wong · J. Appl. Phys. · 1990 · 67 · 86310.1063/1.345744 ↗
19. Wong · J. Appl. Phys. · 1990 · 67 · 713210.1063/1.346060 ↗
20. Wong · IEEE Trans. Electron Devices ED-37 · 1990 · 174310.1109/16.55763 ↗
21. Wong · Appl. Surf. Sci. · 1989 · 39 · 49310.1016/0169-4332(89)90466-2 ↗
22. Hezel · J. Appl. Phys. · 1980 · 51 · 256610.1063/1.327981 ↗
23. Helms · J. Appl. Phys. · 1979 · 50 · 700710.1063/1.325858 ↗
24. Nagasawa · J. Appl. Phys. · 1990 · 68 · 142910.1063/1.346669 ↗
25. Meada · J. Appl. Phys. · 1985 · 58 · 48410.1063/1.335650 ↗
26. Denisse · J. Appl. Phys. · 1986 · 60 · 253610.1063/1.337117 ↗
27. Knolle · J. Appl. Phys. · 1985 · 58 · 124810.1063/1.336116 ↗
28. Ito · J. Electrochem. Soc. · 1982 · 129 · 18410.1149/1.2123752 ↗
29. Habraken · J. Appl. Phys. · 1982 · 53 · 699610.1063/1.330046 ↗
30. Liu · J. Electrochem. Soc. · 1988 · 135 · 308110.1149/1.2095494 ↗
31. Vasquez · Appl. Phys. Lett. · 1985 · 46 · 36110.1063/1.95631 ↗
32. Vasquez · Appl. Phys. Lett. · 1985 · 47 · 99810.1063/1.95956 ↗
33. Ohji · IEEE Trans. Electron Devices ED-37 · 1990 · 163510.1109/16.55750 ↗
34. Cheng · Prog. Surf. Sci. · 1977 · 8 · 18110.1016/0079-6816(77)90003-X ↗
35. Yorinme · J. Vac. Sci. Technol. B · 1983 · 1 · 6710.1116/1.582544 ↗
36. Reed · Appl. Phys. Lett. · 1987 · 51 · 51410.1063/1.98383 ↗