Anomalous Nernst effect in perpendicularly magnetized τ-MnAl thin films
Source abstract
Abstract
τ-MnAl is interesting for spintronic applications as a ferromagnet with perpendicular magnetic anisotropy due to its high uniaxial magnetocrystalline anisotropy. Here, we report on the anomalous Nernst effect of sputter deposited τ-MnAl thin films. We demonstrate a robust anomalous Nernst effect at temperatures of 200 and 300 K with a hysteresis similar to the anomalous Hall effect and the magnetization of the material. The anomalous Nernst coefficient of (0.6 ± 0.24) µV/K at 300 K is comparable to other perpendicular magnetic anisotropy thin films. Therefore, τ-MnAl is a promising candidate for spin-caloritronic research.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Magnetic properties of thin films · Magnetic and transport properties of perovskites and related materials · Advanced Memory and Neural Computing
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Institute for Solid State and Materials Physics, Technische Universität Dresden 1 , 01062 Dresden, Germany
Institute of Physics ASCR 2 , v.v.i., Cukrovarnická 10, 162 53 Praha 6, Czech Republic
Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden (IFW Dresden) 3 , 01069 Dresden, Germany
Department of Physics, University of Konstanz 4 , 78457 Konstanz, Germany
Funding
Deutsche Forschungsgemeinschaft · Czech Science Foundation
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