A self-driven and high-performance photodetector based on a GeSe/Si van der Waals heterojunction with high-speed photoresponse
Source abstract
Abstract
We report a self-driven, broadband GeSe/Si heterojunction photodetector. It achieves a high responsivity of 29.8 A W −1 and fast rise/decay times of 8.5/23.7 µs. This work highlights GeSe-based vdW heterostructures for next-generation optoelectronics.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Graphene research and applications · Nanowire Synthesis and Applications
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
School of Electrical Engineering, Tongling University, Tongling 244000, P. R. China
School of microelectronics & data science, Anhui University of Technology, Maanshan, 243032, P. R. China
School of Physics and Technology, University of Jinan, Jinan 250000, P. R. China
School of Physics, Zhejiang Province Key Laboratory of Quantum Technology and Device, Zhejiang University, Hangzhou 310027, P. R. China
Engineering Technology Research Center of Optoelectronic Technology Appliance, Tongling 246600, Anhui Province, P. R. China
Institute of Energy, Hefei Comprehensive National Science Center (Anhui Energy Laboratory), Hefei 230000, P. R. China
Collaborative Innovation Centre of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, P. R. China
Funding
Natural Science Foundation of Shandong Province · Key Research and Development Program of Zhejiang Province
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