Conductance modulation in graphene/antiferromagnet van der Waals heterostructures induced by magnetic order
Source abstract
Abstract
(FEPS). Electron transport measurements in a field-effect transistor geometry reveal a sharp change in graphene resistance precisely at the Néel temperature of FEPS. Temperature-dependent Raman spectroscopy and gate-dependent transport suggest a distinct interfacial charge transfer driven by the antiferromagnetic ordering. Density functional theory (DFT) calculations support this mechanism, showing a significant modulation of charge transfer across the interface linked to the magnetic phase. These findings unveil a strong interplay between magnetism and electron transport in 2D vdW heterostructures and pave the way toward integrating antiferromagnetic vdW materials into future electronic and spintronic technologies.
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Research context
OpenAlex topics: Graphene research and applications · 2D Materials and Applications · Topological Materials and Phenomena
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Affiliations
Dpto. Física de la Materia Condensada, Universidad Autónoma de Madrid, c/Francisco Tomás y Valiente 7, 28049 Madrid, Spain
Dpto. Química Física, Universidad de Sevilla, c/Profesor García González, s/n, 41012 Sevilla, Spain
IMDEA Nanociencia C/Faraday 9, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain
Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM–CSIC), c/Sor Juana Inés de la Cruz 3, 28049 Madrid, Spain
Unidad de Nanomateriales Avanzados, IMDEA-Nanociencia, Unidad Asociada al CSIC por el ICMM, c/Faraday 9, 28049 Madrid, Spain
Condensed Matter Physics Center (IFIMAC) and Instituto Universitario de Ciencia de Materiales “Nicolás Cabrera” (INC), Universidad Autónoma de Madrid, c/Francisco Tomás y Valiente 7, 28049 Madrid, Spain
Funding
Agencia Estatal de Investigación
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