Semi-dry transfer of CVD graphene on Si: surface morphology and electronic properties
Source abstract
Abstract
/Si substrates. Using various analysis techniques such as low energy electron diffraction, scanning electron microscopy, scanning tunneling microscopy/spectroscopy, Raman, Auger electron and X-ray photoelectron spectroscopies, we demonstrate that our transferred graphene on Si is continuous, clean and that it is very promising for device fabrication. Graphene transistors show transport properties comparable with the state-of-the-art.
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Research context
OpenAlex topics: Graphene research and applications · Diamond and Carbon-based Materials Research · Semiconductor materials and devices
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Affiliations
Namur Institute of Structured Matter (NISM), Department of Physics, University of Namur, 61 Rue de Bruxelles, B-5000 Namur, Belgium
Department of Materials Technology, HCMC University of Technology and Education, 01 Vo Van Ngan street, Thuduc district, Hochiminh city, Vietnam
Université catholique de Louvain (UCL), Nanoscopic physics(NAPS), Institute of Condensed Matter and Nanosciences (IMCN), 2 chemin du Cyclotron, Louvain-la-Neuve, Belgium
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