2 eV band gap tuning and optical properties of AgIn 5 S 8 quantum dots
Source abstract
Abstract
QDs exhibit remarkable band gap tunability of up to 2 eV across the visible spectrum and sharp band-edge emission, underscoring their potential for applications in optoelectronic and biomedical devices. This work provides a robust and sustainable pathway to high-performance, non-toxic QDs, addressing a key bottleneck for their use in biocompatible and consumer electronics.
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Research context
OpenAlex topics: Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Quantum Dots Synthesis And Properties · Advanced Semiconductor Detectors and Materials
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Affiliations
Institute of Chemistry, Faculty of Natural Sciences and Mathematics, SS. Cyril and Methodius University, POB 162, 1000 Skopje, North Macedonia
School of Physics Engineering and Technology, University of York, York, YO10 5DD, UK
Department of Physical Sciences, Faculty of Science, University of Jeddah, P.O. Box 13151, Jeddah, 21493, Saudi Arabia
The York-JEOL Nanocentre, University of York, York, YO10 5DD, UK
Department of Chemistry, University of York, York, YO10 5DD, UK
Funding
Royal Society
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