GaAs nanoscale membranes: prospects for seamless integration of III–Vs on silicon
Source abstract
Abstract
The growth of compound semiconductors on silicon has been widely sought after for decades, but reliable methods for defect-free combination of these materials have remained elusive. Recently, interconnected GaAs nanoscale membranes have been used as templates for the scalable integration of nanowire networks on III-V substrates. Here, we demonstrate how GaAs nanoscale membranes can be seamlessly integrated on silicon by controlling the density of nuclei in the initial stages of growth. We also correlate the absence or presence of defects with the existence of a single or multiple nucleation regime for the single membranes. Certain defects exhibit well-differentiated spectroscopic features that we identify with cathodoluminescence and micro-photoluminescence techniques. Overall, this work presents a new approach for the seamless integration of compound semiconductors on silicon.
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Research context
OpenAlex topics: Nanowire Synthesis and Applications · Semiconductor Quantum Structures and Devices · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
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Affiliations
Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs
Institute of Materials
Faculty of Engineering
École Polytechnique Fédérale de Lausanne
EPFL
Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2)
CSIC and BIST
Campus UAB
08193 Barcelona
Spain
ITMO University
197101 St. Petersburg
Russia
Instituto de Micro y Nanotecnología
IMN-CNM
CSIC (CEI UAM+CSIC)
28760 Tres Cantos
SuperSTEM Laboratory
SciTech Daresbury Campus
Daresbury WA4 4AD
UK
School of Chemical and Process Engineering
Funding
Schweizerischer Nationalfonds zur Förderung der Wissenschaftlichen Forschung · Russian Science Foundation · Ministerio de Economía y Competitividad · Comunidad de Madrid · European Regional Development Fund · “la Caixa” Foundation · Generalitat de Catalunya · Horizon 2020 Framework Programme · Consejo Superior de Investigaciones Científicas
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