Single ZnO Microrod Ultraviolet Photodetector with High Photocurrent Gain
Source abstract
Abstract
An Ag/ZnO microrod/Ag ultraviolet photodetector is fabricated, the ZnO microrod shows a hexagonal whispering gallery cavity structure. Upon a 325 nm ultraviolet illumination, the device shows a high sensitivity of 4 × 10(4) A/W and a high photocurrent gain of 1.5 × 10(5) at 5 V bias. Under different illumination power P, the photocurrent Ilight obeys a power law relation Ilight ∝ P(0.69). The high performance is probably attributed to a Schottky barrier at Ag/ZnO interface and optical whispering gallery mode effect in the ZnO microrod.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: ZnO doping and properties · Gas Sensing Nanomaterials and Sensors · Ga2O3 and related materials
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
State Key Laboratory of Bioelectronics, Southeast University, Nanjing 210096, China
School of Mathematics and Physics, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, China
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