MXene interlayers for Fermi level pinning mitigation in metal/2D SiC contacts: a first-principles study
Source abstract
Abstract
MXene-interlayer engineering enables tunable contact characteristics in 2D SiC transistors. Ti 3 C 2 (OH) 2 , Ti 3 C 2 F 2 and Ti 3 C 2 O 2 produce n-type Ohmic, p-type Schottky and p-type Ohmic contacts, respectively, while alleviating Fermi-level pinning.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: MXene and MAX Phase Materials · Graphene research and applications · 2D Materials and Applications
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
School of Electrical Engineering and Automation, Jiangsu Normal University, Xuzhou, 221116, China
Academy for Advanced Interdisciplinary Research, North University of China, Taiyuan, 030051, China
School of Control Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 116024, China
Funding
National Natural Science Foundation of China · China Scholarship Council
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