Investigation of high-energy proton irradiation effects on carbon nanotube field-effect transistors
Source abstract
Abstract
CNTFETs under 200 MeV proton irradiation show non-monotonic responses: negative V th shift, while SS , G m , and R c degrade at low fluence but recover at high fluence, transitioning from trap accumulation to adsorbate desorption and barrier modulation.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Carbon Nanotubes in Composites · Radiation Effects in Electronics · Advanced Energy Technologies and Civil Engineering Innovations
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
School of Material Science and Engineering, Xiangtan University, Xiangtan, China
Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi'an, China
References (37)
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