Multilayer heterostructure engineering for high-purity and uniform area emission in perovskite quantum-dot light-emitting transistors
Source abstract
Abstract
High-performance ZTO/perovskite QD heterojunction based LETs are realized via interface engineering using PVK and Al 2 O 3 , enabling uniform area emission with Rec.2020-level color purity while maintaining a high-performance transistor characteristic.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Perovskite Materials and Applications · Organic Light-Emitting Diodes Research · Quantum Dots Synthesis And Properties
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Fundamental Research Funds for the Central Universities
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