Contact engineering of MoS 2 synaptic transistors via reactive ion etching
Source abstract
Abstract
A localized contact-region CF 4 /Ar RIE strategy modulates MoS 2 /metal contact injection and defect-assisted charge trapping, leading to improved synaptic performance in back-gated MoS 2 transistors.
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Research context
OpenAlex topics: Advanced Memory and Neural Computing · 2D Materials and Applications · Electrocatalysts for Energy Conversion
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Affiliations
State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology and Guangdong Province Key Laboratory of Display Material, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China
Funding
National Key Research and Development Program of China · National Natural Science Foundation of China · Scientific and Technological Planning Project of Guangzhou City
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