Comparative study of high- k metal oxide–PVP/PMMA hybrid gate dielectrics for low-temperature, all-solution-processed flexible In 2 O 3 thin film transistors
Source abstract
Abstract
Hybrid high- k MO–PVP/PMMA dielectrics enable low-temperature, solution-processed In 2 O 3 TFTs with improved electrical performance and mechanical flexibility.
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Research context
OpenAlex topics: Thin-Film Transistor Technologies · Advanced Sensor and Energy Harvesting Materials · Polymer Nanocomposite Synthesis and Irradiation
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Affiliations
Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Unidad Querétaro, Apdo, Postal 1-798, 76001 Querétaro, México
Facultad de Metalurgia, Universidad Autónoma de Coahuila, Carr. 57, km. 5, C.P.25720, Coahuila, México
Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, Texas, 75080, USA
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