Indirect-to-direct bandgap transition in CsRESiS 4 (RE = Sc, Y, and Lanthanides) through intrinsic charge-transfer transition (CTT) behaviour
Source abstract
Abstract
Replacement of La by Sm in CsRESiS 4 induces an indirect-to-direct bandgap and charge-transfer transition behaviour. CsSmSiS 4 exhibits the most potential for high-efficiency optoelectronics.
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Research context
OpenAlex topics: Chalcogenide Semiconductor Thin Films · 2D Materials and Applications · Semiconductor materials and interfaces
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
School of Mathematics and Physics, University of Science and Technology Beijing, Beijing, China
Jiangsu Key Laboratory of Atmospheric Environment Monitoring and Pollution Control (AEMPC), Collaborative Innovation Center of Atmospheric Environment and Equipment Technology (CIC-AEET), School of Environmental Science and Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing, 210044, China
Funding
National Key Research and Development Program of China · National Natural Science Foundation of China · Natural Science Foundation of Beijing Municipality
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