Charge-transfer doping in C 3 N 2 vdWHs endows sub-5 nm FETs with near-Boltzmann switching and ultrahigh on-state current
Source abstract
Abstract
This work addresses the critical challenge of scaling transistors beyond Moore's law by proposing a novel two-dimensional channel material composed of monolayer C 3 N 2 and its graphene heterostructure.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Advanced Memory and Neural Computing · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
School of Physics and Optoelectronics Engineering, Ludong University, Yantai, People's Republic of China
Department of Physics, Southern University and A&M College, LA70813, USA
Funding
National Natural Science Foundation of China · Natural Science Foundation of Shandong Province
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