Subzero temperature-induced lattice compression enables high carrier mobility in MAPbBr 3 single crystals
Source abstract
Abstract
Freezing-temperature crystallization induces lattice compression in MAPbBr 3 single crystals, leading to bandgap tunability, extended carrier lifetime, and high mobility. These properties enable low-voltage and high-performance optoelectronic devices.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Perovskite Materials and Applications · Optical properties and cooling technologies in crystalline materials · Heusler alloys: electronic and magnetic properties
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Department of Electronic & Electrical Engineering Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, P. R. China
Department of Intelligent Semiconductor Engineering, Chung-Ang University, 84, Heukseok-ro, Dongjak-gu, Seoul 06974, Republic of Korea
School of Integrative Engineering, Chug-Ang University, 84, Heukseok-Ro, Dongjak-gu, Seoul, 06974, Republic of Korea
Funding
Guangdong Provincial Department of Science and Technology · Natural Science Foundation of Guangdong Province · Science, Technology and Innovation Commission of Shenzhen Municipality · Ministry of Science, ICT and Future Planning
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