Monolayer and bilayer tin monoxide in edge contact with common metals: a first-principles investigation
Source abstract
Abstract
Edge contact using two-dimensional tin monoxide as the channel material is a promising design for next-generation transistors, offering a favourable tunability of the Schottky barrier height and a reduced charge carrier transition time.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Electronic and Structural Properties of Oxides · Graphene research and applications
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Affiliations
School of Mechanical and Aerospace Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore
Infineon Technologies Asia Pacific Pte. Ltd., 168 Kallang Way, Singapore 349282, Singapore
CSIJRI-Qingyang Innovation Joint Lab, China-Singapore International Joint Research Institute, Guangzhou 510700, China
Funding
Economic Development Board - Singapore · Infineon Technologies
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