An all-printed flexible field effect transistor based on tellurene nanosheets with graphene electrodes
Source abstract
Abstract
A full printing strategy was employed to prepare a flexible tellurene-based transistor with an Al 2 O 3 gate dielectric, enabling the application of artificial synapses through both electrical and optical stimuli.
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Research context
OpenAlex topics: Organic Electronics and Photovoltaics · 2D Materials and Applications · Graphene research and applications
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
College of Physics and Optoelectronic Engineering, Ocean University of China, Qingdao, Shandong, 266100, China
Research Center for Computing Sensing, Zhejiang Lab, Hangzhou, Zhejiang, 311100, China
Engineering Research Center of Advanced Marine Physical Instruments and Equipment, Ministry of Education, Ocean University of China, Qingdao, Shandong, 266100, China
Qingdao Key Laboratory of Optics and Optoelectronics, Ocean University of China, Qingdao, Shandong, 266100, China
Funding
Fundamental Research Funds for the Central Universities · National Natural Science Foundation of China
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