Introducing vacancy defects to induce ferroelectric-like switching in antiferroelectric oxides
Source abstract
Abstract
Ferroelectric-like polarization switching is realised in antiferroelectric oxides through vacancy defect strategy.
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Research context
OpenAlex topics: Ferroelectric and Piezoelectric Materials · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Multiferroics and related materials
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Affiliations
Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru, Karnataka, 560012, India
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