Low-temperature solution-processed growth of ternary (Bi 1− x Sb x ) 2 S 3 films
Source abstract
Abstract
A low-temperature solvothermal method enables phase-pure (Bi 1− x Sb x ) 2 S 3 films with tunable composition and bandgap, offering a scalable route to engineered ternary chalcogenides for electronic and optoelectronic applications.
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Research context
OpenAlex topics: Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Solidification and crystal growth phenomena
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Affiliations
Ecole Centrale School of Engineering, Mahindra University (MU), Hyderabad, India
School of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton, UK
Funding
Engineering and Physical Sciences Research Council
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