Tuning valley-Ohmic contacts and interfacial electronic properties in valley-polarized semiconductor/Dirac semimetal heterostructures
Source abstract
Abstract
The proposed X/GdI₂ heterostructures, combining valley-polarized semiconductors and 2D Dirac semimetals, enable intrinsic Ohmic contacts and tunable valley-selective transport for reconfigurable valleytronic and spintronic devices.
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Research context
OpenAlex topics: Graphene research and applications · Topological Materials and Phenomena · Intermetallics and Advanced Alloy Properties
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Affiliations
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China
School of Urban Construction, Hebei Normal University of Science & Technology, Qinhuangdao 066004, China
School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
Songshan Lake Materials Laboratory, Dongguan 523808, Guangdong, China
Funding
China Postdoctoral Science Foundation · Natural Science Foundation of Hebei Province · National Natural Science Foundation of China · National Key Research and Development Program of China · Department of Education of Hebei Province
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