First-principles understanding of hole mobility and intrinsic transport mechanisms in Sn( ii ) oxides
Source abstract
Abstract
Transparent conducting oxides play a key role in optoelectronics, but high-mobility p-type materials remain rare. This work highlights Sn( ii ) oxides as promising candidates based on first-principles calculations.
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Research context
OpenAlex topics: Electronic and Structural Properties of Oxides · ZnO doping and properties · Gas Sensing Nanomaterials and Sensors
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Affiliations
School of Chemistry, University of Birmingham, Edgbaston, Birmingham B15 2TT, UK
European Theoretical Spectroscopy Facility, Institute of Condensed Matter and Nanosciences, UCLouvain, Chemin des Étoiles 8, B-1348 Louvain-la-Neuve, Belgium
WEL Research Institute, avenue Pasteur, 6, 1300 Wavre, Belgium
School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, No. 127 Youyi West Road, Xi’an 710072, Shaanxi, P. R. China
Thayer School of Engineering, Dartmouth College, Hanover, New Hampshire 03755, USA
Funding
UK Research and Innovation · Engineering and Physical Sciences Research Council · U.S. Department of Energy · Office of Science · Basic Energy Sciences · Fonds De La Recherche Scientifique - FNRS
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