Tailoring thin film transistor performance through plasma reactant manipulation in indium oxynitride films
Source abstract
Abstract
Different reaction mechanisms of two nitrogen sources (NH 3 and N 2 ) induced dangling bonds in InON and result in differences in TFT performances.
Only a short abstract or summary was supplied by the source.
Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · Thin-Film Transistor Technologies · ZnO doping and properties
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222, Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul, 04763, Republic of Korea
References (41)
Show source-provided references
1. Nomura · Jpn. J. Appl. Phys. · 2006 · 45 · 430310.1143/JJAP.45.4303 ↗
2. Fortunato · Adv. Mater. · 2012 · 24 · 294510.1002/adma.201103228 ↗
3. Park · Thin Solid Films · 2012 · 520 · 167910.1016/j.tsf.2011.07.018 ↗
4. Petti · Appl. Phys. Rev. · 2016 · 3 · 02130310.1063/1.4953034 ↗
5. Kamiya · J. Disp. Technol. · 2009 · 5 · 27310.1109/JDT.2009.2021582 ↗
6. Kim · Sci. Rep. · 2013 · 3 · 145910.1038/srep01459 ↗
7. Lee · Sci. Rep. · 2014 · 4 · 494810.1038/srep04948 ↗
8. Hitoki · Chem. Commun. · 2002 · 169810.1039/B202393H ↗
9. Higashi · J. Am. Chem. Soc. · 2012 · 134 · 696810.1021/ja302059g ↗
10. Ok · IEEE Electron Device Lett. · 2015 · 36 · 3810.1109/LED.2015.2461003 ↗
11. Ok · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2018 · 10 · 270910.1021/acsami.7b16046 ↗
12. Lee · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2018 · 10 · 3054110.1021/acsami.8b08568 ↗
13. Kim · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2018 · 10 · 1587310.1021/acsami.8b02678 ↗
14. Stewart · Chem. Mater. · 2018 · 30 · 252610.1021/acs.chemmater.7b04666 ↗
15. Sheng · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2019 · 11 · 4030010.1021/acsami.9b14310 ↗
16. Sheng · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2019 · 11 · 1268310.1021/acsami.9b02999 ↗
17. Kim · Int. J. Extrem. Manuf. · 2023 · 5 · 01200610.1088/2631-7990/acb46d ↗
18. Sowińska · J. Vac. Sci. Technol. A · 2016 · 34 · 01A12710.1116/1.4936227 ↗
19. Jiang · Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. · 2004 · 78 · 8910.1007/s00339-002-2002-7 ↗
20. Knoops · J. Vac. Sci. Technol., A · 2019 · 37 · 03090210.1116/1.5088582 ↗
21. Rayner · J. Vac. Sci. Technol., A · 2020 · 38 · 06240810.1116/6.0000454 ↗
22. Itoh · Appl. Phys. Lett. · 2016 · 109 · 14210410.1063/1.4964422 ↗
23. Ilhom · RSC Adv. · 2020 · 10 · 2735710.1039/D0RA04567E ↗
24. Karwal · Nanoscale · 2021 · 13 · 1009210.1039/D0NR08921D ↗
25. Tabet · J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. · 2008 · 163 · 1510.1016/j.elspec.2007.11.003 ↗
26. Ryoo · J. Mater. Chem. C · 2023 · 11 · 801810.1039/D2TC03964H ↗
27. Chen · Appl. Surf. Sci. · 2000 · 158 · 13410.1016/S0169-4332(99)00601-7 ↗
28. Li · Appl. Phys. Lett. · 2009 · 95 · 19190310.1063/1.3259644 ↗
29. Alevli · J. Cryst. Growth · 2011 · 335 · 5110.1016/j.jcrysgro.2011.09.003 ↗
30. Shinoda · Diam. Relat. Mater · 2002 · 11 · 89610.1016/S0925-9635(01)00679-3 ↗
31. Meng · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2018 · 10 · 1411610.1021/acsami.8b00723 ↗
32. Mayangsari · Appl. Surf. Sci. · 2021 · 535 · 14772710.1016/j.apsusc.2020.147727 ↗
33. Murugan · Microelectron. Eng. · 2022 · 253 · 11167810.1016/j.mee.2021.111678 ↗
34. Jeong · J. Mater. Chem. C · 2018 · 6 · 517110.1039/C8TC01064A ↗
35. Nomura · Appl. Phys. Lett. · 2009 · 95 · 01350210.1063/1.3159831 ↗
36. Ryu · Appl. Phys. Lett. · 2010 · 97 · 02210810.1063/1.3464964 ↗
37. Li · IEEE J. Elec. Dev. Soc. · 2019 · 7 · 106310.1109/JEDS.2019.2946383 ↗
38. Amnuyswat · X-Ray Spectrom. · 2013 · 42 · 8710.1002/xrs.2438 ↗
39. Westra · J. Vac. Sci. Technol. · 1988 · 6 · 173010.1116/1.575280 ↗
40. Sungthong · Appl. Surf. Sci. · 2008 · 254 · 795010.1016/j.apsusc.2008.04.038 ↗
41. Li · IEEE. T. Electron. Dev. · 2023 · 70 · 359810.1109/TED.2023.3276334 ↗