Epitaxial Co on GaN by decomposition of template CoO
Source abstract
Abstract
Metal/semiconductor heterojunctions have attracted interest for many years due to their importance in electronic device applications.
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Research context
OpenAlex topics: GaN-based semiconductor devices and materials · ZnO doping and properties · Ga2O3 and related materials
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Affiliations
Department of Physics, Beijing Engineering Research Center of Detection and Application for Weak Magnetic Field, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China
State Key Laboratory of Photocatalysis on Energy and Environment, College of Chemistry, Fuzhou University, Fuzhou, 350002, China
School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Fundamental Research Funds for the Central Universities
References (61)
Show source-provided references
1. Tsuruoka · Surf. Sci. · 1999 · 427 · 25710.1016/S0039-6028(99)00275-7 ↗
2. Nanishi · Nat. Photonics · 2014 · 8 · 88410.1038/nphoton.2014.291 ↗
3. Takashima · Appl. Phys. Express · 2017 · 10 · 12100410.7567/APEX.10.121004 ↗
4. Dasgupta · Appl. Phys. Lett. · 2010 · 96 · 14350410.1063/1.3374331 ↗
5. Kolluri · IEEE Electron Device Lett. · 2009 · 30 · 58410.1109/LED.2009.2018708 ↗
6. Rajan · J. Appl. Phys. · 2007 · 102 · 04450110.1063/1.2769950 ↗
7. Brown · Appl. Phys. Lett. · 2009 · 94 · 15350610.1063/1.3122347 ↗
8. Keller · J. Appl. Phys. · 2008 · 103 · 03370810.1063/1.2838214 ↗
9. Chung · IEEE Electron Device Lett. · 2008 · 30 · 11310.1109/LED.2008.2010415 ↗
10. Kolluri · IEEE Electron Device Lett. · 2010 · 32 · 13410.1109/LED.2010.2090410 ↗
11. Dasgupta · IEEE Electron Device Lett. · 2010 · 32 · 33
12. Lin · Appl. Phys. Lett. · 2010 · 97 · 07310110.1063/1.3478515 ↗
13. Kolluri · J. Appl. Phys. · 2010 · 108 · 07450210.1063/1.3488641 ↗
14. A. G.Milnes , Heterojunctions and metal semiconductor junctions , Elsevier , 2012
15. Picozzi · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2000 · 61 · 1673610.1103/PhysRevB.61.16736 ↗
16. Kampen · MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. · 1996 · 1 · e4110.1557/S1092578300002131 ↗
17. Wang · Appl. Phys. Lett. · 1996 · 68 · 126710.1063/1.115948 ↗
18. Patil · WSEAS Trans. Circuits Syst. · 2021 · 12 · 55
19. Li · New J. Phys. · 2010 · 12 · 07300710.1088/1367-2630/12/7/073007 ↗
20. Li · J. Appl. Phys. · 2011 · 110 · 09350110.1063/1.3652761 ↗
21. Bermudez · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 1993 · 48 · 243610.1103/PhysRevB.48.2436 ↗
22. Akashi · Diamond Relat. Mater. · 2020 · 109 · 10802410.1016/j.diamond.2020.108024 ↗
23. Zhai · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2020 · 12 · 2409310.1021/acsami.0c02166 ↗
24. D.Awschalom , D.Loss and N.Samarth , Semiconductor spintronics and quantum computation , Springer Science & Business Media , 200210.1007/978-3-662-05003-3 ↗
25. Vaz · Rep. Prog. Phys. · 2008 · 71 · 05650110.1088/0034-4885/71/5/056501 ↗
26. Nishizawa · Bull. Alloy Phase Diagrams · 1983 · 4 · 38710.1007/BF02868089 ↗
27. Tolédano · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2001 · 64 · 14410410.1103/PhysRevB.64.144104 ↗
28. Soleimanzadeh · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2021 · 13 · 4351610.1021/acsami.1c08761 ↗
29. Chen · Appl. Phys. Lett. · 2022 · 120 · 11110110.1063/5.0085464 ↗
30. Blöchl · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 1994 · 50 · 1795310.1103/PhysRevB.50.17953 ↗
31. Kresse · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 1996 · 54 · 1116910.1103/PhysRevB.54.11169 ↗
32. Kresse · Comput. Mater. Sci. · 1996 · 6 · 1510.1016/0927-0256(96)00008-0 ↗
33. Perdew · Phys. Rev. Lett. · 1996 · 77 · 386510.1103/PhysRevLett.77.3865 ↗
34. Selcuk · J. Phys. Chem. C · 2015 · 119 · 997310.1021/acs.jpcc.5b02298 ↗
35. Asmadi · Phys. Chem. Chem. Phys. · 2010 · 12 · 857110.1039/c003971c ↗
36. Xing · Appl. Surf. Sci. · 2022 · 582 · 15247310.1016/j.apsusc.2022.152473 ↗
37. Xing · Phys. Chem. Chem. Phys. · 2021 · 23 · 2559010.1039/D1CP04112F ↗
38. Tang · J. Phys.: Condens. Matter · 2009 · 21 · 084204
39. Ray · J. Phase Equilib. · 1991 · 12 · 64410.1007/BF02645161 ↗
40. Delaey · Phase Transform. Mater. · 2001 · 58310.1002/352760264X.ch9 ↗
41. Meng · J. Alloys Compd. · 2013 · 580 · 18710.1016/j.jallcom.2013.05.115 ↗
42. Harp · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 1993 · 48 · 1753810.1103/PhysRevB.48.17538 ↗
43. Li · Acta Mater. · 2019 · 179 · 23710.1016/j.actamat.2019.08.018 ↗
44. Tasker · J. Phys. C: Solid State Phys. · 1979 · 12 · 497710.1088/0022-3719/12/22/036 ↗
45. Yang · Mater. Res. Express · 2018 · 5 · 03651910.1088/2053-1591/aab41f ↗
46. Zhao · Mater. Today · 2022 · 33 · 105022
47. Brese · Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci. · 1991 · 47 · 19210.1107/S0108768190011041 ↗
48. Brown · Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci. · 1985 · 41 · 24410.1107/S0108768185002063 ↗
49. Zhang · Nat. Commun. · 2017 · 8 · 1588110.1038/ncomms15881 ↗
50. Zhang · Nat. Commun. · 2021 · 12 · 152210.1038/s41467-021-21861-6 ↗
51. Harada · Sci. Adv. · 2019 · 5 · eaax573310.1126/sciadv.aax5733 ↗
52. Kagawa · Phys. Rev. Appl. · 2014 · 2 · 05400910.1103/PhysRevApplied.2.054009 ↗
53. Mrovec · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2009 · 79 · 24512110.1103/PhysRevB.79.245121 ↗
54. Delaney · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2010 · 81 · 16531210.1103/PhysRevB.81.165312 ↗
55. Oh · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2013 · 87 · 07532510.1103/PhysRevB.87.075325 ↗
56. Ma · Phys. Chem. Chem. Phys. · 2017 · 19 · 1875010.1039/C7CP03453A ↗
57. Wang · Rep. Prog. Phys. · 2021 · 84 · 05650110.1088/1361-6633/abf1d4 ↗
58. Su · Appl. Phys. Lett. · 2017 · 110 · 16160410.1063/1.4981775 ↗
59. Gao · J. Appl. Phys. · 2018 · 124 · 01450210.1063/1.5030538 ↗
60. Zhong · Sci. Rep. · 2016 · 6 · 110.1038/s41598-016-0001-8 ↗
61. Louie · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 1976 · 13 · 246110.1103/PhysRevB.13.2461 ↗