Iodide-substitution-induced phase transition of chemical-vapor-deposited MoS 2
Source abstract
Abstract
Molybdenum disulfide (MoS 2 ) based electronic devices, particularly field effect transistors, have outstanding performance.
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Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · MXene and MAX Phase Materials · Chalcogenide Semiconductor Thin Films
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Department of Physics, State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics and Tsinghua-Foxconn Nanotechnology Research Center, Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China
Frontier Science Center for Quantum Information, Beijing 100084, P. R. China
Department of Mechanical Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China
Funding
National Natural Science Foundation of China · National Key Research and Development Program of China
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