Defect-passivated InGaZnO/In 2 O 3 stacked thin-film transistors with visible-light-assisted recovery for room-temperature ppb-level NO 2 detection
Source abstract
Abstract
IGZO in a stacked structure functions as a defect-passivating layer to enhance NO 2 detection.
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Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: Gas Sensing Nanomaterials and Sensors · ZnO doping and properties · Thin-Film Transistor Technologies
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Key Laboratory of Optoelectronic Technology and Systems of the Education Ministry of China, College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, China
Chongqing Institutes of Higher Education Key Forensic Science Laboratory, Criminal Investigation School, Southwest University of Political Science and Law, Chongqing 401120, China
Chongqing Key Laboratory of Toxic and Drug Analysis, Chongqing Police College, Chongqing 401331, China
Institute of Chemical Materials, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China
Funding
Natural Science Foundation of Chongqing Municipality · Fundamental Research Funds for the Central Universities · Chongqing Municipal Education Commission Foundation
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