Ferroelectric and field-induced ferroelectric phase formation in atomic-layer-deposited ZrO 2 thin films with TiN electrodes
Source abstract
Abstract
This study explores the origin of ferroelectric phase formation in 10-nm-thick ALD ZrO 2 films by analyzing structural and electrical properties as a function of deposition temperature (280–310 °C) and post-metallization annealing.
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Research context
OpenAlex topics: Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Advanced Memory and Neural Computing · Ferroelectric and Piezoelectric Materials
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Affiliations
Department of Materials Science and Engineering, and Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea
SK Hynix Semiconductor, Inc., Icheon, Gyeonggi 17336, Republic of Korea
Funding
National Research Foundation of Korea · Ministry of Trade, Industry and Energy
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