Metal halide perovskites as gate dielectrics for transistor applications: progress and perspectives
Source abstract
Abstract
This perspective discusses metal halide perovskites (MHPs) as gate dielectrics for transistor-based devices. The authors discuss the electrolytic dielectric characteristics of MHPs, focusing on understanding the dielectric polarizability of MHPs.
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Research context
OpenAlex topics: Perovskite Materials and Applications · Transition Metal Oxide Nanomaterials · Conducting polymers and applications
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Affiliations
Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 30 Pildong-ro, 1-gil, Jung-gu, Seoul 04620, Republic of Korea
Funding
National Research Foundation of Korea
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