Copper halide anion engineering for p-channel electrolyte-gated transistors with superior operational reliability
Source abstract
Abstract
An effective strategy for improving the operational stability of solution-processed inorganic p-channel transistors has been demonstrated by doping copper iodide (CuI) semiconductor with nonvolatile bromine (Br).
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Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · Electronic and Structural Properties of Oxides · Copper-based nanomaterials and applications
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Affiliations
Department of Chemistry and Chemical Engineering, Inha University, Incheon, 22212, Republic of Korea
Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University (CNU), Republic of Korea
Education and Research Center for Smart Energy and Materials, Inha University, Incheon, 22212, Republic of Korea
Funding
Korea Institute for Advancement of Technology · Korea Basic Science Institute · National Research Foundation of Korea · Ministry of Trade, Industry and Energy
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