Largely enhanced bulk photovoltaic effects in a two-dimensional MoSi 2 N 4 monolayer photodetector by vacancy-doping and bending-increased device asymmetry
Source abstract
Abstract
Two-dimensional MoSi 2 N 4 monolayer semiconductors have garnered significant research attention for ultraviolet (UV) photodetection due to their outstanding performance, including ultrafast response, high responsivity, and low dark current.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · MXene and MAX Phase Materials · Ga2O3 and related materials
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Affiliations
College of Physics and Electronics Engineering, Hengyang Normal University, Hengyang 421002, P. R. China
Department of Physics & Hunan Institute of Advanced Sensing and Information Technology, Xiangtan University, Xiangtan 411105, P. R. China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Hunan Provincial Innovation Foundation for Postgraduate · National Key Research and Development Program of China · Department of Science and Technology of Hunan Province
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