Enhanced dielectric properties of alternative NO-gas-based SiO 2 films via plasma-enhanced chemical vapor deposition for high-performance indium–gallium–zinc oxide thin-film transistors
Source abstract
Abstract
The effects of N 2 annealing on dielectric properties of NO-based SiO 2 films fabricated through plasma-enhanced chemical vapor deposition and device performance of IGZO TFTs with them were investigated underlying the charge-transport mechanism.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Thin-Film Transistor Technologies · Ga2O3 and related materials · Semiconductor materials and devices
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University, Seoul 01897, Republic of Korea
Department of Display Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea
School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea
Funding
Ministry of Trade, Industry and Energy
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