Bilayer BaSnO3 thin film transistors on silicon substrates
Source abstract
Abstract
Barium tin oxide BaSnO3 (BSO) is a novel wide-bandgap semiconducting material with high electron mobility and is considered as a promising alternative to indium-containing amorphous oxide semiconductors.
Only a short abstract or summary was supplied by the source.
Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: Electronic and Structural Properties of Oxides · Semiconductor materials and devices · ZnO doping and properties
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
School of Photoelectric Engineering
Changzhou Institute of Technology
Changzhou
China
School of Materials Science and Engineering
Nanyang Technological University
Singapore
Tecnologico de Monterrey
Escuela de Ingenieriay Ciencias
Campus Monterrey
64849 Monterrey
Mexico
Energy Research Institute@NTU (ERI@N)
Funding
National Natural Science Foundation of China · Six Talent Peaks Project in Jiangsu Province · Ministry of Education - Singapore
References (37)
Show source-provided references
1. Fortunato · Appl. Phys. Lett. · 2004 · 85 · 254110.1063/1.1790587 ↗
2. Nomura · Nature · 2004 · 432 · 48810.1038/nature03090 ↗
3. Wager · Science · 2003 · 300 · 124510.1126/science.1085276 ↗
4. Ellmer · Nat. Photonics · 2012 · 6 · 80910.1038/nphoton.2012.282 ↗
5. Martins · J. Non-Cryst. Solids · 2006 · 352 · 147110.1016/j.jnoncrysol.2006.02.009 ↗
6. Goncalo · Electrochem. Solid-State Lett. · 2010 · 13 · II20
7. Wang · Nat. Mater. · 2006 · 5 · 89310.1038/nmat1755 ↗
8. Lee · Annu. Rev. Mater. Res. · 2017 · 47 · 17.110.1146/annurev-matsci-070616-124109 ↗
9. Singh · Appl. Phys. Lett. · 2014 · 104 · 01191010.1063/1.4861838 ↗
10. Raghavan · APL Mater. · 2016 · 4 · 01610610.1063/1.4939657 ↗
11. Joo · Curr. Appl. Phys. · 2017 · 17 · 59510.1016/j.cap.2016.12.013 ↗
12. Prakash · Nat. Commun. · 2017 · 8 · 1516710.1038/ncomms15167 ↗
13. Ozaki · J. Appl. Phys. · 2017 · 121 · 21530410.1063/1.4984317 ↗
14. Prakash · J. Mater. Chem. C · 2017 · 5 · 573010.1039/C7TC00190H ↗
15. Kim · Appl. Phys. Express · 2012 · 5 · 06110210.1143/APEX.5.061102 ↗
16. Luo · Appl. Phys. Lett. · 2012 · 100 · 17211210.1063/1.4709415 ↗
17. Kim · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2012 · 86 · 16520510.1103/PhysRevB.86.165205 ↗
18. Liu · J. Alloys Compd. · 2016 · 655 · 38910.1016/j.jallcom.2015.09.190 ↗
19. Shiogai · AIP Adv. · 2016 · 6 · 06530510.1063/1.4953808 ↗
20. Ganguly · APL Mater. · 2015 · 3 · 06250910.1063/1.4919969 ↗
21. Mun · Appl. Phys. Lett. · 2013 · 102 · 25210510.1063/1.4812642 ↗
22. Fujiwara · AIP Adv. · 2016 · 6 · 08501410.1063/1.4961637 ↗
23. Shin · Appl. Phys. Lett. · 2016 · 109 · 26210210.1063/1.4973205 ↗
24. Park · Appl. Phys. Lett. · 2014 · 105 · 20350310.1063/1.4901963 ↗
25. Kim · Appl. Phys. Express · 2016 · 9 · 01120110.7567/APEX.9.011201 ↗
26. Sanchela · Phys. Rev. Mater. · 2017 · 1 · 03460310.1103/PhysRevMaterials.1.034603 ↗
27. Kim · APL Mater. · 2015 · 3 · 03610110.1063/1.4913587 ↗
28. Liu · J. Phys. D: Appl. Phys. · 2010 · 43 · 45540110.1088/0022-3727/43/45/455401 ↗
29. Li · J. Alloys Compd. · 2016 · 680 · 34310.1016/j.jallcom.2016.04.157 ↗
30. Wu · Semicond. Sci. Technol. · 1994 · 9 · 124210.1088/0268-1242/9/6/014 ↗
31. Yu · Appl. Phys. Lett. · 2016 · 108 · 26210110.1063/1.4954638 ↗
32. Gunawan · Appl. Phys. Lett. · 2015 · 106 · 06240710.1063/1.4907931 ↗
33. Lee · Appl. Phys. Lett. · 2010 · 97 · 20350510.1063/1.3517502 ↗
34. John · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2016 · 8 · 113910.1021/acsami.5b08880 ↗
35. Lee · Appl. Phys. Lett. · 2012 · 101 · 11350210.1063/1.4751861 ↗
36. Li · RSC Adv. · 2014 · 5 · 962110.1039/C4RA14222E ↗
37. Cho · Materials · 2019 · 12 · 342310.3390/ma12203423 ↗