High-performance CdScInO thin-film transistors and their stability improvement under negative bias (illumination) temperature stress
Source abstract
Abstract
CdScInO TFTs exhibit excellent stability under NBTS at 80 °C or under NBIS with red light or green light illumination.
Only a short abstract or summary was supplied by the source.
Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: Thin-Film Transistor Technologies · ZnO doping and properties · Nanowire Synthesis and Applications
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices
South China University of Technology
Guangzhou
China
School of Physics Science and Technology, South China University of Technology
Funding
Natural Science Foundation of Guangdong Province · National Basic Research Program of China · National Natural Science Foundation of China · Fundamental Research Funds for the Central Universities
References (32)
Show source-provided references
1. Nomura · Nature · 2004 · 432 · 48810.1038/nature03090 ↗
2. Tang · J. Appl. Phys. · 2015 · 118 · 20570310.1063/1.4936552 ↗
3. Fortunato · Adv. Mater. · 2012 · 24 · 294510.1002/adma.201103228 ↗
4. Park · J. Electroceram. · 2014 · 32 · 11710.1007/s10832-013-9858-0 ↗
5. Kwon · Semicond. Sci. Technol. · 2015 · 30 · 02400210.1088/0268-1242/30/2/024002 ↗
6. Park · Thin Solid Films · 2012 · 520 · 167910.1016/j.tsf.2011.07.018 ↗
7. Lan · Acta Phys. Sin. · 2016 · 65 · 12
8. Jeong · J. Mater. Res. · 2013 · 28 · 207110.1557/jmr.2013.214 ↗
9. Shin · ETRI J. · 2009 · 31 · 6210.4218/etrij.09.0208.0266 ↗
10. Lee · Appl. Phys. Lett. · 2009 · 95 · 1309
11. Kwon · Appl. Phys. Lett. · 2010 · 97 · 488
12. Ji · IEEE Electron Device Lett. · 2010 · 31 · 140410.1109/LED.2010.2073439 ↗
13. Chowdhury · Appl. Phys. Lett. · 2010 · 97 · 17350610.1063/1.3503971 ↗
14. Oh · Appl. Phys. Lett. · 2010 · 97 · 488
15. Nahm · Phys. Status Solidi B · 2012 · 249 · 127710.1002/pssb.201147557 ↗
16. Kang · Appl. Phys. Lett. · 2007 · 90 · 488
17. Lee · Appl. Phys. Lett. · 2009 · 95 · 043509
18. Yang · IEEE Electron Device Lett. · 2010 · 31 · 14410.1109/LED.2009.2036944 ↗
19. Lan · IEEE Trans. Electron Devices · 2019 · 66 · 6
20. Lan · IEEE Trans. Electron Devices · 2011 · 58 · 145210.1109/TED.2011.2115248 ↗
21. Lan · IEEE Electron Device Lett. · 2012 · 33 · 82710.1109/LED.2012.2190966 ↗
22. Song · IEEE Trans. Electron Devices · 2016 · 63 · 191610.1109/TED.2016.2543023 ↗
23. Kresse · Comput. Mater. Sci. · 1996 · 6 · 1510.1016/0927-0256(96)00008-0 ↗
24. Perdew · Phys. Rev. Lett. · 1996 · 77 · 386510.1103/PhysRevLett.77.3865 ↗
25. Kresse · Phys. Rev. B: Condens. Matter · 1999 · 59 · 175810.1103/PhysRevB.59.1758 ↗
26. Li · J. Chem. Phys. · 2017 · 146 · 154180
27. Dahm · J. Chem. Phys. · 1965 · 24 · 966
28. D. S. Ginley , Handbook of Transparent Conductors , Springer , New York, Heidelberg, Dordrecht, London , 2010 , p. 32
29. Jeong · J. Mater. Res. · 2013 · 28 · 207110.1557/jmr.2013.214 ↗
30. Flewitt · J. Appl. Phys. · 2014 · 115 · 62810.1063/1.4870457 ↗
31. Zhang · J. Am. Chem. Soc. · 2018 · 140 · 1250110.1021/jacs.8b06395 ↗
32. Zhang · J. Mater. Chem. C · 2017 · 5 · 31410.1039/C6TC03880H ↗