Semiconductor-like nanofilms assembled with AlN and TiN laminations for nearly ideal graphene-based heterojunction devices
Source abstract
Abstract
As a new class of electronic devices, graphene heterojunctions in which graphene is combined with bulk or other layered 2D semiconductors have been realized.
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Research context
OpenAlex topics: Graphene research and applications · 2D Materials and Applications · MXene and MAX Phase Materials
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Affiliations
State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics
Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology
Chinese Academy of Sciences
Shanghai
P. R. China
Department of Materials Science and Engineering
University of California
Los Angeles
USA
Funding
National Natural Science Foundation of China
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