High electron mobility, controllable magnetism and anomalous light absorption in a monolayered tin mononitride semiconductor
Source abstract
Abstract
A monolayered tin mononitride semiconductor with ultrahigh electron mobility, controllable magnetism and outstanding optical properties was predicted.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · MXene and MAX Phase Materials · ZnO doping and properties
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Affiliations
A Shenzhen Geim Graphene Center (SGC)
Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI) & Tsinghua Shenzhen International Graduate School (TSIGS)
Tsinghua University
Shenzhen 518055
China
Funding
Guangdong Innovative and Entrepreneurial Research Team Program · China Postdoctoral Science Foundation · National Natural Science Foundation of China · National Basic Research Program of China · Shenzhen Technical Project
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