Low operating voltage and low bias stress in top-contact SnCl 2 Pc/CuPc heterostructure-based bilayer ambipolar organic field-effect transistors
Source abstract
Abstract
A low operating voltage (∼10 V) top contact-bottom gate ambipolar organic field-effect transistor (OFET) is fabricated using vacuum-deposited small molecules, SnCl 2 Pc and CuPc. The ambipolar OFET exhibits balanced carrier mobility and low bias-stress (characteristics time constant ∼10 5 s) for both n-channel and p-channels.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Organic Electronics and Photovoltaics · Semiconductor materials and devices · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Department of Physics
Indian Institute of Technology Guwahati
Guwahati-781039
India
Centre for Nanotechnology
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