Defect-tuned conduction in ultrathin MoTe 2 field-effect transistors
Source abstract
Abstract
Temperature- and pressure-dependent transport, together with DFT simulations, reveal how Schottky contacts, vacancies, and surface adsorbates jointly govern charge transport in ultrathin MoTe 2 field effect transistors.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Topological Materials and Phenomena · Organic and Molecular Conductors Research
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Affiliations
Department of Physics “E. R. Caianiello”, University of Salerno, via Giovanni Paolo II, Fisciano, Salerno, 84084, Italy
Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, T12 R5CP, Ireland
School of Chemistry, University College Cork, Cork, Ireland
Funding
Università degli Studi di Salerno · Research Ireland · HORIZON EUROPE Marie Sklodowska-Curie Actions
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