Metal–monolayer MoSi 2 N 4 junctions: metal dimension dependent Fermi-level pinning
Source abstract
Abstract
High-performance semiconductor devices demand ohmic contacts with low contact resistances, while such low-resistance ohmic contacts are closely linked to the weak Fermi level pinning (FLP) effect.
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Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Semiconductor materials and interfaces · Semiconductor materials and devices
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Affiliations
School of Materials Science and Energy Engineering, School of Physics and Mechanical & Electrical Engineering, Hubei Engineering Technology Research Center of Environmental Purification Materials, Hubei University of Education, Wuhan 430000, China
Engineering Research Center of Recycling & Comprehensive Utilization of Pharmaceutical and Chemical Waste of Zhejiang Province, School of Pharmaceutical and Chemical Engineering, Taizhou University, Taizhou 318000, China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Natural Science Foundation of Hubei Province · Hubei University of Education
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