Ferroelectrically gated sub-6 nm monolayer MoS 2 transistors for high-performance and low-power applications
Source abstract
Abstract
A schematic device model and the corresponding transfer characteristics with upward ( P ↑ ) and downward ( P ↓ ) polarizations of BiAlO 3 at V b = 0.64 V are presented.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Molecular Junctions and Nanostructures · GaN-based semiconductor devices and materials
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Affiliations
Faculty of Materials Science and Engineering, Kunming University of Science and Technology, Kunming 650093, P. R. China
Funding
National Natural Science Foundation of China
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