Theoretical prediction of the carrier mobilities for MII2M III -Cl-layered double hydroxides in three-dimensional directions
Source abstract
Abstract
Layered double hydroxides may be used as gate insulators in field-effect transistors due to their anisotropic carrier mobilities, large band gap energies and moderate dielectric permittivities.
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Research context
OpenAlex topics: Layered Double Hydroxides Synthesis and Applications · ZnO doping and properties · Ferroelectric and Piezoelectric Materials
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Affiliations
State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, P. R. China
Key Laboratory of Weak Light Nonlinear Photonics, Ministry of Education, School of Physics, Nankai University, Tianjin 300071, P. R. China
Funding
Central Universities in China · Natural Science Foundation of Tianjin City · National Natural Science Foundation of China
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