Enhanced performance of a-GaO x thin-film transistor photodetectors via in situ hydrogen incorporation using water vapor
Source abstract
Abstract
This study uses H 2 O vapor deposition to enhance a-GaO x photodetectors. In situ hydrogen incorporation and vacuum annealing boost responsivity and speed, resolving the responsivity-response time trade-off.
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Research context
OpenAlex topics: Ga2O3 and related materials · ZnO doping and properties · GaN-based semiconductor devices and materials
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Affiliations
Laboratory of Atomic-scale and Micro & Nano Manufacturing, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, 315201, China
Nano Science and Technology Institute, University of Science and Technology of China, Suzhou, 215123, China
Metro Group Co., Ltd, Ningbo, 315101, People's Republic of China
Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China
Funding
Natural Science Foundation of Ningbo Municipality · National Natural Science Foundation of China
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