Negative differential transconductance effects on anomalous n-type characteristics in p-type WSe 2 semiconductor field effect transistors
Source abstract
Abstract
The NDT effect with a high peak current in WSe 2 FET is demonstrated during the sweep from positive to negative voltage.
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Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · MXene and MAX Phase Materials · Chalcogenide Semiconductor Thin Films
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Affiliations
Department of Applied Physics, School of Physics, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi 710049, People's Republic of China
Laboratory of Nanostructure and Physics Properties, MOE Key Laboratory for Nonequilibrium Synthesis and Modulation of Condensed Matter, School of Physics, Xi’an Jiaotong University, 710049, People's Republic of China
Funding
National Natural Science Foundation of China
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